副研究员
| 姓 名： | 范艳伟 |
|---|---|
| 性 别： | 男 |
| 职 务： | |
| 职 称： | 副研究员（自然科学） |
| 通讯地址： | 新疆乌鲁木齐市新市区科学二街181号 |
| 邮政编码： | 830011 |
| 电子邮件： |
简历：
范艳伟，男，1980年生，副研究员。2005年新疆大学物理系理论物理专业毕业，获理学硕士学位。2005年7月至今，在中国科学院新疆理化技术研究所从事敏感材料、功能材料方面的研究工作。作为主要成员参与了国家自然科学基金、国家863、中科院西部之光、新疆维吾尔自治区高技术研究发展计划、乌鲁木齐市科技计划等多个项目的研究工作。主持中科院西部之光项目1项、自治区自然科学基金项目1项、乌鲁木齐市科技局科技攻关计划项目1项。获得国家授权发明专利2件，发表论文10余篇，制订产品企业标准1项。作为主要成员参与的《单晶硅热敏电阻及传感器中试》，2008年获乌鲁木齐市科技进步三等奖。
主要研究领域：
1、辐射剂量测试方法
光致荧光辐射敏感材料和辐射剂量的测量方法
2、敏感材料与器件
过渡金属元素掺杂的单晶硅热敏材料的制备、单晶硅电阻的制备工艺
光致荧光辐射敏感材料和辐射剂量的测量方法
2、敏感材料与器件
过渡金属元素掺杂的单晶硅热敏材料的制备、单晶硅电阻的制备工艺
代表性文章：
[1]范艳伟，陈朝阳 ，巴维真，丛秀云，刘艳平，杜彦召． cas:eu,sm的制备及发光特性，功能材料，2007，38：223
[2]陈朝阳，范艳伟，刘艳平，王军华，巴维真，郭旗，常爱民，陆妩．碱土金属硫化物光激励材料在辐射剂量测量中的应用，光谱学与光谱分析，2009，29（4）：896
[3]sun yurun，chenzhaoyang，fan yanwei，yan shiyou，he chengfa．a cas:ce,sm-based dosimeter for online dosimetry measurement，progress of nuclear science and technology, 2011，22(2)：88-92
[4]wei pingqiang， chen zhaoyang， fan yanwei， sun yurun， zhao yun．dose-rate dependence of optically stimulated luminescence signal，chinese journal of semiconductors, 2010，31(10) ：102001-1-102001-4
[5] 董茂进，陈朝阳，范艳伟，丛秀云，王军华，陶明德．au和ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性[j]．功能材料，2009，1(40)：37
[6] dong maojin，chen zhaoyang，fan yanwei，wang junhua，tao mingde，cong xiuyun． ntc and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material[j] ，journal of semiconductors，2009，30(8)：083007
[2]陈朝阳，范艳伟，刘艳平，王军华，巴维真，郭旗，常爱民，陆妩．碱土金属硫化物光激励材料在辐射剂量测量中的应用，光谱学与光谱分析，2009，29（4）：896
[3]sun yurun，chenzhaoyang，fan yanwei，yan shiyou，he chengfa．a cas:ce,sm-based dosimeter for online dosimetry measurement，progress of nuclear science and technology, 2011，22(2)：88-92
[4]wei pingqiang， chen zhaoyang， fan yanwei， sun yurun， zhao yun．dose-rate dependence of optically stimulated luminescence signal，chinese journal of semiconductors, 2010，31(10) ：102001-1-102001-4
[5] 董茂进，陈朝阳，范艳伟，丛秀云，王军华，陶明德．au和ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性[j]．功能材料，2009，1(40)：37
[6] dong maojin，chen zhaoyang，fan yanwei，wang junhua，tao mingde，cong xiuyun． ntc and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material[j] ，journal of semiconductors，2009，30(8)：083007
研究领域：
物理学
