副研究员-凯发k8官网登录vip

 冯婕，女，1985年出生，乌鲁木齐人，博士，副研究员，中国电子学会会员，ieee会员，主要从事光电成像系统辐射效应机理与抗辐射加固技术研究。 

学习经历： 

2009.09-2014.07 中国科学院光电技术研究所硕博连读，光学工程专业，工学博士学位 

2005.09-2009.07 重庆邮电大学，光信息科学与技术专业，理学学士学位  

工作经历： 

2021.11-至今 中国科学院新疆理化技术研究所，副研究员 

2016.01-2021.11 中国科学院新疆理化技术研究所，助理研究员 

2014.07-2016.01 安徽科技学院，助教  

主要研究领域及成就： 

  主要从事光电成像系统辐射效应机理与抗辐射加固技术研究。主持国家自然科学基金青年科学基金、国家自然科学基金面上项目、中科院西部之光青年学者、自治区高层次引进人才项目、自治区天山青年计划项目、企业委托课题等项目。作为骨干参与国家重大专项子课题2项、国家自然基金重点基金1项、基础科研项目1项，中国科学院重点部署项目1项，国家自然科学基金应急管理项目1项，中科院西部之光青年学者1项。其中申请人主持的中科院西部之光青年学者项目结题验收优秀；主持的自治区高层次引进人才项目结题验收优秀。第一作者发表sci、ei收录文章15篇，申请发明专利22项，其中授权专利12项，出版译著《光学设计手册》一本。作为主要起草人提交了两项航天八院行业标准《图像传感器总剂量效应试验方法》和《图像传感器质子位移效应试验方法》报批稿，为国产器件研发和航天重要型号任务（高分对地观测、遥感系列卫星）提供了保障。在光电载荷在轨维护技术方面已积累一定的研究基础，相关研究结果已成功应用于空间天文观测系统、 “cx-3”空间碎片检测科学卫星，并获得用户应用证明。  

主要荣誉： 

1. 获得2018年新疆维吾尔自治区科技进步一等奖  

2. 获得研究所、重点实验室先进个人  

3. 获得第十三届抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会“优秀论文一等奖” 

代表性文章： 

1. jie feng，yudong li*，lin wen, dong zhou, lindong ma.degradation mechanism for photon transfer curve of cmos image sensor after irradiation[j].optics and precision engineering, 2017, 25(10):2677-2681. 

2. jie feng，yudong li，lin wen, qi guo. influence mechanism of cmos sensor radiation damage on the performance of visual position and attitude measurement system[j]. infrared and laser engineering, 2017, 46(7): s117002. 

3. feng jie*, li yudong, wen lin, guo qi, zhang xingyao. study the performance of star sensor influenced by space radiation damage of image sensor, spie, 2017,10710, 107100h-1–107100h-7. 

4.jie feng，yudong li，lin wen, qi guo.degradation mechanism of star sensor performance caused by radiation damage of cmos image sensor[j]. infrared and laser engineering, 2020, 49(5): 20190555-1–20190555-7. 

5. j.feng,* y.-d.li，j.fu, l.wen, c.-f.he, q.guo. effect of total ionizing dose damage on 8-transistor cmos star sensor performance[j]. semiconductors, 2021, 55(1):108-115. 

6. jie feng，lin wen, yudong li*，qi guo. on-orbit testing method of ccd charge transfer efficiency based on hot pixels[j]. modern applied physics, 2017, 8(4):040609-1-040609-5. 

7. jie feng, lin wen* , yu-dong li , cheng-fa he, qi guo. study the performance of star sensor influenced by space radiation damage of image sensor[c]// 2019 3rd international conference on radiation effects of electronic devices (icreed). 2019. 

8. jie feng，yudong li，jing fu, lin wen，qi guo. 10mev proton radiation effect on 8-transistor cmos star sensor performance[j]. atomic energy science and technology,2021, 55(12):23-30. 

9. fu jing, feng jie *, li yudong *, wen lin ,qi guo. degradation characteristics of proton irradiated 8t cmos image sensor [j]. atomic energy science and technology, 2021,55(12):16-22. 

10.haichuan wang, jie feng*, yudong li*.noise of cis effect on imaging resolution of camera under high radiation environment[j]. atomic energy science and technology, 2022,56(4):775-782. 

11. jie feng*, jing fu, yu-dong li*, lin wen, qi guo. mechanism of ionization damage in large eight-transistor complementary metal–oxide–semiconductor color image sensors [j].journal of nanoelectronics and optoelectronics,2021, 16:1-7. 

12. fu, j, cai, yl, li yd, feng, j *,wen, l , zhou d, guo, q *.single event transient effect of frontside and backside illumination image sensors under proton irradiation [j].acta physica sinica,2022,71(5):1-9. 

13. jing fu, lin wen, jie feng*, ying wei, et al. quantum efficiency simulation and analysis of irradiated complementary metal-oxide semiconductor image sensors[j]. journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2022, 17:1-8. 

14. jie feng, yihao cui, yudong li*,lin wen, qi guo. influence mechanism and recognition algorithm of cmos aps radiation damage on star sensor star map recognition [j/ol]. acta physica sinica:1-16[2022-09-04].http://kns.cnki.net/kcms/detail/11.1958.o4.20220617.0934.004.html 

15. jing fu, jie feng*, yu-dong li*, lin wen, dong zhou & qi guo .effect of proton beam irradiation on the tracking efficiency of cmos image sensors[j].radiation effects and defects in solids, 2022,177:5-6, 590-603.  

代表性专利： 

1. 冯婕，张翔，文林，马林东，李豫东，郭旗，快速鉴别辐照后互补金属氧 化物半导体传感器随机电码信号的方法，中国，发明专利，授权号：zl201710200747.5.  

2. 冯婕，李豫东，文林，于新，张兴尧，郭旗，一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，中国，发明专利，授权号：zl201710507965.3.  

3. 冯婕，李豫东，文林，周东，郭旗，一种基于通道分离的大面阵彩色 cmos图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，中国，发明专利，授权号：zl202010385703.6. 

4. 冯婕，李豫东，文林，周东，郭旗， 一种基于通道分离的大面阵彩色 cmos图像传感器辐照后暗电流评估方法，中国，发明专利，授权号：zl202010385562.8  

5. 冯婕、邓超、姚政鹏、邢廷文，消除圆对称位相型计算全息基片条纹图形畸变的方法，中国，发明专利，授权号：zl201310127454.0.  

6. 冯婕、邓超、姚政鹏、邢廷文，检测计算全息基片面形和材料不均匀性误差的装置和方法，中国，发明专利，授权号：zl201310113487.x  

7. 郭旗，李豫东，冯婕，文林，马林东，辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法，中国，发明专利，授权号：zl201710205736.6.  

8. 文林，李豫东，冯婕，王田珲，于新，周东，郭旗，一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，中国，发明专利，授权号：zl201710507516.9.  

9. 李豫东，冯婕，马林东，文林，周东，郭旗，辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，中国，发明专利，授权号：zl201710077573.8.  

10. 李豫东，文林，冯婕，周东，张兴尧，郭旗，一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法，中国，发明专利，授权号：zl201710507786.x.  

11. 李豫东，文林，冯婕，施玮雷，于新，玛利娅·黑尼，郭旗，互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，中国，发明专利，授权号： zl201810250683.4. 

研究领域： 

  光电成像器件辐射效应与损伤机理研究、光电系统辐射效应与抗辐射加固技术研究