| 姓 名： | 陆妩 |
|---|---|
| 性 别： | 女 |
| 职 务： | |
| 职 称： | 研究员(自然科学) |
| 通讯地址： | 乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |
| 邮政编码： | 830011 |
| 电子邮件： | luwu@ms.xjb.ac.cn |
简历：
陆妩，女，汉族，九三社员，理学硕士，中国科学院新疆理化技术研究所研究员，博士生导师，新疆大学兼职教授；中国电子学会会士；中国电子学会可靠性分会委员；新疆核学会理事；2011年，芬兰aalto大学微纳电子科学与技术学院高级访问学者；
主要研究领域以及成就：
长期从事微电子器件和电路的辐射效应、损伤机理、评估方法及抗辐射加固技术的研究，先后主持并承担该领域国家863、国家重点自然科学基金等研究课题30余项；在国内外核心期刊发表学术论文230余篇，获批国家标准3项；曾获得新疆维吾尔自治区技术发明一等奖1项，中科院、新疆自治区科技进步一等奖4项、二等奖1项、三等奖2项，中国辐射物理领域十大科技创新进展奖1项。
主要荣誉：
曾荣获中国电子学会会士（2020年）、中国电子学会“优秀科技工作者”（2018年）、中国科学院“朱李月华优秀教师” (2012年）、九三学社“全国优秀社员”(2012年）、新疆自治区“优秀博硕士论文指导教师”（2010、2011、2013年）、新疆自治区“巾帼建功标兵”(2009年）等荣誉。
代表性文章：
1.ruiqin zhang, qiwen zheng, wu lu*, et.al,“1/f noise responses of ultra-thin body and buried oxide fd-soi pmosfets under total ionizing dose irradiation”，radiation effects and defects in solids，2022，176,(12)：1-14
2.yu xin, lu wu*, li xiaolong, et.al, total ionizing dose effect and failure mechanism of digital signal processor，chinese journal of electronics，2021，30（5）：986-990.
3.si-yuan chen，xin yu，wu lu*，et.al，effects of total-ionizing-dose irradiation on single-event burnout for commercial enhancement-mode algan/gan high-electron mobility transistors，chin.phys.lett. 2020，37（4）：046101
4.shanxue xi，qiwen zheng, wu lu*, et.al, modeling of tid-induced leakage current in ultra-deep submicron soi nmosfets, microelectronics journal, doi.org/10.1016/j.mejo.2020.104829.
5.mohan liu , wu lu*, xin yu , et.al， mechanism of degradation rate on the irradiated double-polysilicon self-aligned bipolar transistor， electronics, 2019, 8(6): 657-1-8
6.xiaolong li, wu lu*, qi guo, et.al，temperature-switching during irradiation as a test for eldrs in linear bipolar devices， ieee transactions on nuclear science, 2019,66(1): 199-206.
7.shuai yao, wu lu*, xin yu, et.al， synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator lm139， journal of nuclear science and technology, 2019, 56(2): 172-178.
8.shuai yao, wu lu*, xin yu, et.al，synergistic effect of enhanced low-dose-rate sensitivity and single event transient in bipolar voltage comparator lm139, journal of nuclear science and technology, 2019, 56(2): 172-178.
9.qiwen zheng , jiangwei cui, wu lu, et.al，total ionizing dose influence on the single-event multiple-cell upsets in 65-nm 6-t sram, ieee transactions on nuclear science, 2019，66（6）: 892-898
10.xiao-long li, wu lu*, xin wang, et.al，estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanism using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral pnp transistor，chinese physics b,2018,vol.27（3）:036102-1-9，
研究领域：
物理学类其他专业
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