| 姓 名： | 郭旗 |
|---|---|
| 性 别： | 男 |
| 职 务： | |
| 职 称： | 研究员(自然科学) |
| 通讯地址： | 乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |
| 邮政编码： | 830011 |
| 电子邮件： | guoqi@ms.xjb.ac.cn |
简历：
郭旗，中国科学院“特聘核心骨干”，二级研究员，博士生导师，中国科学院大学教授，中国电子学会会士，享受国务院政府特殊津贴，现任中科院新疆理化所固体辐射物理研究室主任。
主要从事电子元器件电离辐射效应、损伤机理、试验评估方法等研究。主持国家级等课题20余项，发表论文200余篇，申请及授权国家发明专利30余项。获新疆维吾尔自治区科技突出贡献奖1项，科技进步一等奖4项，二等奖1项，三等奖2项。获新疆维吾尔自治区“先进工作者”、最美科技工作者，中国电子学会“优秀科技工作者”，中国科学院“朱李月华”优秀教师等荣誉称号。
1.新疆维吾尔自治区“先进工作者”
2.新疆维吾尔自治区“最美科技工作者”
3.中国电子学会“优秀科技工作者”
4.中国科学院“朱李月华”优秀教师
代表性文章：[1]li, yd; liu, bk; wen, l; wei, y; zhou, d; feng, j; guo, q.role of the oxide trapped charges in charge coupled device ionizing radiation-induced dark signal[j].radiation physics and chemistry, 2021.
[2]cai yu long、wen lin、li yudong、guo qi*、feng jie、zhou dong、zhang xiang、liu bingkai、fu jing. single-event effects in pinned photodiode cmos image sensors: set and sel [j]. ieee transactions on nuclear science, 2020.
[3]bingkai liu、yudong li*、lin wen、dong zhou、jie feng、xiang zhang、yulong cai、jing fu、jiawei chen、qi guo. study of dark current random telegraph signal in proton-irradiated backside illuminated cmos image sensors[j]. results in physics, 2020, 19:103443.
[4]qiwen zheng,jiangwei cui, liewei xu, bingxu ning, kai zhao, mingjie shen,xuefeng yu, wu lu, chengfa he, diyuan ren, and qi guo. total ionizing dose responses of forward body bias ultra-thin body and buried oxide fd-soi transistors[j]. ieee transactions on nuclear science,2019.
[5]zhang xiang,li yudong, wen lin,zhou dong,feng jie,ma lin-dong,wang tian-hui, cai yulong,wang zhiming,guo qi*. radiation effects due to 3 mev proton irradiations on back-side illuminated cmos image sensors [j].chinese physics letters, 2018.
研究领域：
1、固体辐射物理
2、微电子与光电子器件辐射效应
3、空间辐射剂量在轨测量
