7月5日至10日，应中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室邀请，印度安那大学、ssn工程学院教授（ssn college of engineering, anna university, india）p. ramasamy到中国科学院新疆理化技术研究所进行学术交流。
访问期间，分别作了题为unidirectional growth of crystals from solution、nucleation kinetics and crystal growth aspects、crystal growth from melt的学术报告。报告中，ramasamy详细介绍了“sankaranarayanan -ramasamy（sr）”溶液法定向生长大尺寸光学晶体的研究成果和进展，并通过与传统溶液法生长技术的对比，展示了sr方法在晶体尺寸大、质量好、可定向生长、简便、快速等方面的优势。新疆理化所40余名科研人员和研究生听取了报告，并与ramasamy就相关问题进行了热烈的学术讨论。
为推进实施国家“一带一路”倡议，加强新疆理化所与ramasamy教授及印度安那大学（ssn 工程学院）的合作交流，双方签署了创建“中-印晶体生长联合实验室”框架协议。联合实验室成立后，双方将在学术互访、联合科研攻关、交换培养研究生等方面进行进深入的合作。会后，ramasamy被聘为新疆理化所客座研究员，新疆理化所副所长潘世烈为其颁发了聘书。
印度ssn工程学院由印度著名实业家sri sivasubramaniya nadar于1996年建立，位于印度金奈。最初隶属于印度安娜大学，1998年独立建院，是印度一所知名的工程技术研究单位。
p. ramasamy，印度安娜大学教授，创办了印度安娜大学晶体生长中心并担任主任，印度ssn工程学院晶体生长中心主任。他长期从事人工晶体的生长技术研究，在国际上享有很高的知名度，已发表700余篇学术论文、撰写7部专著，培养博士研究生92名，被誉为“印度晶体生长之父”。以他和他的弟子的名字命名的晶体生长方法“sankaranarayanan -ramasamy”method已在多个国家的科研机构获得应用。
ramasamy教授作报告
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